作者 | 乔钰杰
编辑 | 袁斯来
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硬氪获悉，国产碳化硅（SiC）功率模块厂商利普思半导体（以下简称“利普思”）近日完成近亿元B轮融资，新投资方为上海新微资本。本轮资金将主要用于加大AIDC相关产品研发和全球市场推广。
利普思（Leapers）成立于2019年11月，总部位于江苏无锡，是一家专注于第三代半导体碳化硅功率模块研发、制造及销售的企业，致力于为高压、大电流等应用场景提供高功率密度、高可靠性的功率模块及相关解决方案。
随着AI数据中心向800V HVDC架构升级，新能源汽车的800V高压平台普及，以及光储充对能量转换效率的要求不断提高，碳化硅在高压、高频、高温等用电场景中的应用价值日益凸显。相较于传统硅基器件，碳化硅具有更高的开关频率、更高的击穿电场强度、更低的开关损耗、更高的转换效率，正成为能源基础设施升级和算力建设的重要基础材料之一。
据Yole Group数据，2024年全球碳化硅功率器件市场规模约为34亿美元，预计到2030年将接近100亿美元，年复合增长率约为20.3%。国内方面，2024年中国第三代半导体功率电子市场规模约176亿元，涵盖以碳化硅为主的SiC、GaN器件；预计到2029年将超过460亿元。
利普思董事长兼CEO丁烜明介绍称，基于行业需求的增长，2026下半年以来，公司经营业绩同比去年增长幅度超过50%，新合作客户超30家，尤其在固态变压器和固态断路器的产品方面达成战略合作超10家。
丁烜明表示，技术优势上，利普思已经建立起一整套自主SiC模块正向设计体系，是国内首家采用自主高导热环氧灌封方案的SiC功率模块厂商，并在降低模块杂感和损耗、提高模块的耐高温、耐高压特性、提高循环功率寿命拥有多项自主知识产权。
目前，利普思的产品已广泛应用于电动重卡、工程机械、船舶、低空飞行器等高压电驱系统，以及超充、风电光储、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）、变频器和轨交电源等场景。
既有应用之外，AIDC正成为利普思重点布局的新市场。利普思已有多款1200V至3300V的SiC功率模组面向AIDC相关应用开展客户送样，部分项目进入可靠性验证阶段，相关产品有望于2027年迎来较为明显的放量。
除AIDC市场外，利普思也在推进下一代功率模块的封装技术创新。在今年6月德国PCIM展会上，公司发布了PCB嵌入式SiC模块新方案，将芯片直接嵌入PCB板内，旨在优化电气连接、降低系统杂散电感，并提升系统集成度。围绕这一方向，公司也在探索相关技术在电源领域的应用。
全球化布局是利普思的另一项业务基础。丁烜明告诉硬氪，公司已建立覆盖中国、日韩和欧洲、北美的研发及市场网络，在无锡、上海、深圳和日本设有研发中心，并在欧洲设立海外销售中心。公司核心技术团队成员来自蔚来、三菱、东芝、英飞凌、安森美等企业，具备功率半导体研发、产品应用及国际市场拓展经验。目前，公司海外营收已占比接近一半。
产能布局方面，目前利普思正在加速建设其扬州车规级功率半导体模块工厂。该工厂预计2027年4月完成通线投产。达产后预计年产能150万只SiC模块。届时，利普思无锡工厂和扬州工厂将达到年产220万只SiC的产能规模，为正在到来的第三代功率半导体需求爆发做准备。
（图源/企业）
以下是硬氪与丁烜明交流节选：
硬氪：AIDC场景对碳化硅功率模块的需求有哪些不同？目前相关产品进展到了什么阶段？
丁烜明：AIDC供电链路分为五级：10kV/35kV中压交流经固态变压器SST直转 800V 直流，省去工频变压器、低压UPS、PDU；800V直流母线通过SSCB等固态保护器件向机架配电，母线可直接接入储能、BBU以替代传统UPS；机架内高变比 LLC 降压至54V/48V或12V中间总线；最后经板级多相VRM输出0.6~1.0V给GPU/CPU核心，5V/3.3V供给I/O及外围。
我们聚焦的是中压交流到800V直流这一段，核心设备是SST变换环节，配合800V侧的SSCB保护环节。中压侧的高频、高温工况下，碳化硅的优势最为明显。
目前，我们已经开发了1200V、1700V、2300V、3300V等多个电压等级的产品，并向国内外多家头部客户送样，部分项目进入可靠性验证阶段。AIDC设备单机功率通常达到数兆瓦，对应的功率模块需求量也比较大。我们正在对接国内外电力设备厂商，并优先推进有机会进入英伟达供应链的项目。
但从送样到规模化采购还需要时间。我们预计，相关业务有望在2027年第四季度左右迎来较为明显的放量。
硬氪：公司目前在下一代智能SiC PCB功率模块方面有哪些布局？这类产品的技术优势和挑战分别是什么？
丁烜明：PCB嵌入式功率模块的思路，是取消键合线与独立模块外壳，把封装功能并入PCB叠层，也就是芯片直接埋入板内，用微孔电镀铜建立三维互连。它主要有三方面提升：功率回路电感从传统键合模块的10~20nH降到1~2nH，模块体积能缩小一半以上；另外去掉了键合线，也就解决了功率循环里最主要的失效问题，寿命可以达到传统模块的好几倍；而且这种对称叠层结构，本身就适合双面散热。
挑战不在电气，而在热与力。SiC的热膨胀系数约4ppm/K，铜是17，FR4更高，温度循环下界面剪切应力集中在微孔底部和芯片边缘，会带来脱粘、空洞和分层——这是量产真正的关键障碍。其次是800V以上的绝缘与局部放电，埋入结构内部空间紧凑，树脂和微孔侧壁是场强集中点。散热本身反而可以通过铜柱直通、内嵌氮化硅陶瓷来解决。还有一点容易被忽略：电感压到2nH以下之后，短路电流上升率更高，保护窗口被压缩到1微秒以内，驱动和保护必须一起重新设计。
落地节奏上，我们先锚定AIDC电源。它的800V与车载800V平台电压等级一致，工艺可以复用，但认证周期短、迭代快、连续满载的工况也更接近真实负载，适合先把工艺和良率跑通，再复制到车载和电源。
投资人观点
新微资本：随着AI算力基础设施扩容、新型电力系统建设提速，SiC模块的价值日益凸显。利普思凭借自主正向设计和先进封装技术，产品在高压、大电流工况下优势突出，已在电网、重卡、储能、工业等场景建立了扎实的量产记录和客户口碑，并成功打入海外头部供应链。新微资本在功率半导体领域已围绕材料、器件、封装制造和下游应用进行全链条布局，SiC模块正是其中的重要一环。我们看好利普思在AIDC场景的成长空间，将持续为其赋能。