三星电子与阿斯麦（ASML）宣布扩大战略合作。
三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。
三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。
高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。
三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。
（界面）
三星电子与阿斯麦（ASML）宣布扩大战略合作。
三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。
三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。
高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。
三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。
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