据业内人士消息称，在定制化高带宽内存时代，三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略预计将发生重大变化。
该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产，而是采取“双轨制程”战略，即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。
从今年开始量产HBM4开始，三星电子和SK海力士已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。
与DRAM工艺相比，代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中，从而提升性能和能效。
（新浪财经）
据业内人士消息称，在定制化高带宽内存时代，三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略预计将发生重大变化。
该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产，而是采取“双轨制程”战略，即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。
从今年开始量产HBM4开始，三星电子和SK海力士已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。
与DRAM工艺相比，代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中，从而提升性能和能效。
（新浪财经）